GT30F124 Transistor IGBT 300V 200A T0-220

Description

### Description technique Le GT30F124 est un transistor IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) de puissance, conçu pour la commutation rapide et efficace de courants élevés. Il permet le contrôle de la puissance dans des applications nécessitant une gestion significative de tension et de courant. ### Caractéristiques techniques * **Type de transistor** : IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) * **Tension collecteur-émetteur maximale (VCE)** : 300 V * **Courant collecteur pulsé maximal (ICM)** : 200 A * **Tension de grille-émetteur maximale (VGE)** : ±20 V * **Tension de saturation collecteur-émetteur typique (VCE(sat))** : 1.5 V - 2.5 V * **Boîtier** : TO-220 * **Configuration des broches** : Grille (G), Collecteur (C), Émetteur (E) ### Compatibilité Ce composant est destiné aux étages de puissance et ne se connecte pas directement aux microcontrôleurs à faible tension logique (ex: Arduino, Raspberry Pi, ESP32). Son intégration requiert un circuit de commande de grille (gate driver) adapté. ### Applications * Convertisseurs de puissance (DC-DC, AC-DC) * Onduleurs et alimentations à découpage haute fréquence * Systèmes de contrôle moteur pour applications industrielles ou robotiques ### Livraison Disponible chez TET Electronics avec livraison rapide partout en Tunisie.