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GT30F124 Transistor IGBT 300V 200A T0-220
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REF: COM-a5f4627e
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Caractéristiques techniques
- Le GT30F124 est un transistor IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) de puissance, conçu pour la commutation rapide et efficace de courants élevés. Il permet le contrôle de la puissance dans des applications nécessitant une gestion significative de tension et de courant.
- : IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
- : 300 V
- : 200 A
- : ±20 V
- : 1.5 V - 2.5 V
- : TO-220
- : Grille (G), Collecteur (C), Émetteur (E)
Description
Description technique
Le GT30F124 est un transistor IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) de puissance, conçu pour la commutation rapide et efficace de courants élevés. Il permet le contrôle de la puissance dans des applications nécessitant une gestion significative de tension et de courant.
Caractéristiques techniques
- Type de transistor : IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
- Tension collecteur-émetteur maximale (VCE) : 300 V
- Courant collecteur pulsé maximal (ICM) : 200 A
- Tension de grille-émetteur maximale (VGE) : ±20 V
- Tension de saturation collecteur-émetteur typique (VCE(sat)) : 1.5 V - 2.5 V
- Boîtier : TO-220
- Configuration des broches : Grille (G), Collecteur (C), Émetteur (E)
Compatibilité
Ce composant est destiné aux étages de puissance et ne se connecte pas directement aux microcontrôleurs à faible tension logique (ex: Arduino, Raspberry Pi, ESP32). Son intégration requiert un circuit de commande de grille (gate driver) adapté.
Applications
- Convertisseurs de puissance (DC-DC, AC-DC)
- Onduleurs et alimentations à découpage haute fréquence
- Systèmes de contrôle moteur pour applications industrielles ou robotiques
Livraison
Disponible chez TET Electronics avec livraison rapide partout en Tunisie.
Questions fréquentes
GT30F124 Transistor IGBT 300V 200A T0-220 est disponible chez TET Electronics, boutique d'électronique en Tunisie (Megrine, Ben Arous). Commandez en ligne au prix de 7.00 TND avec livraison rapide partout en Tunisie et paiement à la livraison.
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