
FGH60N60UFD Transistor IGBT 600V 60A
Caractéristiques techniques
- Le FGH60N60UFD est un transistor IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) conçu pour la commutation de puissance. Il combine une faible tension de saturation avec une commande de grille en tension.
- Tension collecteur-émetteur maximale (Vce): 600 V
- Courant collecteur continu maximal (Ic @ 25°C): 60 A
- Tension de seuil de grille (Vge(th)): 4.5 V (typique)
- Puissance dissipée maximale (Pd): 312 W (à 25°C)
- Type de boîtier: TO-247
- Diode de roue libre: Intégrée, ultra-rapide
- Fréquence de commutation: Optimisé pour les applications de puissance moyenne à haute fréquence.
Description
Description technique Le FGH60N60UFD est un transistor IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) conçu pour la commutation de puissance. Il combine une faible tension de saturation avec une commande de grille en tension.
Caractéristiques techniques
- Tension collecteur-émetteur maximale (Vce): 600 V
- Courant collecteur continu maximal (Ic @ 25°C): 60 A
- Tension de seuil de grille (Vge(th)): 4.5 V (typique)
- Puissance dissipée maximale (Pd): 312 W (à 25°C)
- Type de boîtier: TO-247
- Diode de roue libre: Intégrée, ultra-rapide
- Fréquence de commutation: Optimisé pour les applications de puissance moyenne à haute fréquence.
Compatibilité Ce composant n'est pas directement compatible avec les plateformes de microcontrôleurs basse tension (ex: Arduino, Raspberry Pi, ESP32). Il requiert un circuit de commande de grille (gate driver) adapté pour son fonctionnement.
Applications
- Convertisseurs DC-DC et onduleurs de puissance.
- Alimentations à découpage (SMPS) haute performance.
- Systèmes de contrôle moteur et entraînements à vitesse variable.
Livraison Disponible chez TET Electronics avec livraison rapide partout en Tunisie.
Questions fréquentes
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