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2N3055 Transistor de Puissance NPN

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REF: COM-7aa6dd03
3.00 TND
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Caractéristiques techniques

  • Le 2N3055 est un transistor de puissance NPN conçu pour la commutation rapide et l'amplification de signaux à haute puissance. Il est adapté aux applications nécessitant une dissipation thermique élevée.
  • Type de Transistor :
  • Tension Collecteur-Émetteur (VCEO) :
  • Courant Collecteur (IC) :
  • Puissance Totale Dissipée (PTOT) :
  • 115W (à 25°C de température de boîtier)
  • Gain en Courant Continu (hFE) :
  • 20 à 70 (à IC = 4A, VCE = 4V)

Description

Description technique

Le 2N3055 est un transistor de puissance NPN conçu pour la commutation rapide et l'amplification de signaux à haute puissance. Il est adapté aux applications nécessitant une dissipation thermique élevée.

Caractéristiques techniques

  • Type de Transistor : NPN
  • Tension Collecteur-Émetteur (VCEO) : 60V
  • Courant Collecteur (IC) : 15A
  • Puissance Totale Dissipée (PTOT) : 115W (à 25°C de température de boîtier)
  • Gain en Courant Continu (hFE) : 20 à 70 (à IC = 4A, VCE = 4V)
  • Tension de Saturation Collecteur-Émetteur (VCE(sat)) : 1.1V max (à IC = 10A, IB = 3.3A)
  • Fréquence de Transition (fT) : 2.5 MHz
  • Boîtier : TO-3
  • Température de Jonction Maximale (TJ) : -65°C à +200°C

Compatibilité

Ce composant est compatible avec une large gamme de circuits électroniques de puissance, pouvant être piloté par des microcontrôleurs ou des circuits logiques via des étages de commande appropriés.

Applications

  • Régulateurs de tension linéaires
  • Amplificateurs audio de puissance
  • Alimentations à découpage et convertisseurs DC-DC
  • Contrôle de moteurs DC de forte puissance

Livraison

Disponible chez TET Electronics avec livraison rapide partout en Tunisie.

Questions fréquentes

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