FGH40N60SFD Transistor IGBT 600V 40A

Description

### Description technique Le FGH40N60SFD est un transistor IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) de puissance conçu pour les applications de commutation à haute tension et fort courant. Il offre une faible tension de saturation et une haute impédance d'entrée. ### Caractéristiques techniques * Tension collecteur-émetteur maximale (Vce): 600V * Courant collecteur continu maximal (Ic): 40A (à 100°C) * Tension de saturation collecteur-émetteur (Vce(sat)): 2.5V (max. @ Ic=40A, Vge=15V, Tj=25°C) * Tension de seuil de la grille (Vge(th)): 4.0V à 6.0V * Charge de grille totale (Qg): 150nC (typ. @ Ic=40A, Vge=15V) * Température de jonction maximale (Tj): 150°C * Boîtier: TO-247 ### Compatibilité Ce composant est utilisé avec des circuits de commande de grille (gate drivers) adaptés pour sa commutation dans des applications de puissance. ### Applications * Onduleurs, convertisseurs de puissance et alimentations à découpage (SMPS). * Systèmes d'alimentation sans interruption (UPS) et contrôleurs de moteur. * Applications de soudage et de chauffage par induction. ### Livraison Disponible chez TET Electronics avec livraison rapide partout en Tunisie.