
SKP10N60A Transistor IGBT 600V 10A
Caractéristiques techniques
- Le SKP10N60A est un transistor IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) conçu pour la commutation de puissance. Il combine une haute impédance d'entrée de type MOSFET avec une faible tension de saturation d'un transistor bipolaire.
- Tension collecteur-émetteur (V_CES) : 600 V
- Courant collecteur continu (I_C) : 10 A (à 25°C)
- Tension maximale grille-émetteur (V_GE) : ± 20 V
- Dissipation de puissance totale (P_D) : 90 W (à 25°C)
- Température de jonction de fonctionnement (T_J) : -55°C à +150°C
- Boîtier : TO-220-3
- Ce composant est compatible avec les circuits de commande nécessitant une commutation de puissance, à partir de signaux générés par des microcontrôleurs tels qu'Arduino, Raspberry Pi ou ESP32, via des drivers de grille adaptés.
Description
Description technique Le SKP10N60A est un transistor IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) conçu pour la commutation de puissance. Il combine une haute impédance d'entrée de type MOSFET avec une faible tension de saturation d'un transistor bipolaire.
Caractéristiques techniques
- Tension collecteur-émetteur (V_CES) : 600 V
- Courant collecteur continu (I_C) : 10 A (à 25°C)
- Tension maximale grille-émetteur (V_GE) : ± 20 V
- Dissipation de puissance totale (P_D) : 90 W (à 25°C)
- Température de jonction de fonctionnement (T_J) : -55°C à +150°C
- Boîtier : TO-220-3
Compatibilité Ce composant est compatible avec les circuits de commande nécessitant une commutation de puissance, à partir de signaux générés par des microcontrôleurs tels qu'Arduino, Raspberry Pi ou ESP32, via des drivers de grille adaptés.
Applications
- Onduleurs et convertisseurs DC/DC.
- Alimentations à découpage et ballast électroniques.
- Systèmes de contrôle moteur et d'éclairage.
Livraison Disponible chez TET Electronics avec livraison rapide partout en Tunisie.
Questions fréquentes
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