
IRF540N MOSFET 100V - 33A
Caractéristiques techniques
- Le MOSFET de puissance IRF540N est un transistor à effet de champ N-canal conçu pour la commutation rapide de charges électriques élevées. Il offre une faible résistance à l'état passant, optimisé pour les applications de gestion de puissance.
- Type de transistor: MOSFET N-canal
- Tension Drain-Source (Vds): 100 V
- Courant Drain Continu (Id): 33 A (à 25°C)
- Résistance Drain-Source à l'état passant (Rds(on)): 44 mΩ (typ. à Vgs=10V, Id=20A)
- Tension de seuil Gate-Source (Vgs(th)): 2 V à 4 V
- Charge de Grille Totale (Qg): 72 nC (typ.)
- Dissipation de puissance (Pd): 130 W
Description
Description technique Le MOSFET de puissance IRF540N est un transistor à effet de champ N-canal conçu pour la commutation rapide de charges électriques élevées. Il offre une faible résistance à l'état passant, optimisé pour les applications de gestion de puissance.
Caractéristiques techniques
- Type de transistor: MOSFET N-canal
- Tension Drain-Source (Vds): 100 V
- Courant Drain Continu (Id): 33 A (à 25°C)
- Résistance Drain-Source à l'état passant (Rds(on)): 44 mΩ (typ. à Vgs=10V, Id=20A)
- Tension de seuil Gate-Source (Vgs(th)): 2 V à 4 V
- Charge de Grille Totale (Qg): 72 nC (typ.)
- Dissipation de puissance (Pd): 130 W
- Boîtier: TO-220
Compatibilité Compatible avec la plupart des microcontrôleurs et cartes de développement (Arduino, Raspberry Pi, ESP32) via un circuit de pilotage de grille adapté.
Applications
- Pilotage de moteurs DC ou pas-à-pas
- Commutation de charges inductives et résistives
- Convertisseurs DC-DC et régulateurs de tension
- Applications de gestion de puissance en électronique de puissance
Livraison Disponible chez TET Electronics avec livraison rapide partout en Tunisie.
Questions fréquentes
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