IRF540N MOSFET 100V - 33A - Acheter en Tunisie | TET Electronics
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IRF540N MOSFET 100V - 33A

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REF: COM-5e15c410
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Caractéristiques techniques

  • Le MOSFET de puissance IRF540N est un transistor à effet de champ N-canal conçu pour la commutation rapide de charges électriques élevées. Il offre une faible résistance à l'état passant, optimisé pour les applications de gestion de puissance.
  • Type de transistor: MOSFET N-canal
  • Tension Drain-Source (Vds): 100 V
  • Courant Drain Continu (Id): 33 A (à 25°C)
  • Résistance Drain-Source à l'état passant (Rds(on)): 44 mΩ (typ. à Vgs=10V, Id=20A)
  • Tension de seuil Gate-Source (Vgs(th)): 2 V à 4 V
  • Charge de Grille Totale (Qg): 72 nC (typ.)
  • Dissipation de puissance (Pd): 130 W

Description

Description technique Le MOSFET de puissance IRF540N est un transistor à effet de champ N-canal conçu pour la commutation rapide de charges électriques élevées. Il offre une faible résistance à l'état passant, optimisé pour les applications de gestion de puissance.

Caractéristiques techniques

  • Type de transistor: MOSFET N-canal
  • Tension Drain-Source (Vds): 100 V
  • Courant Drain Continu (Id): 33 A (à 25°C)
  • Résistance Drain-Source à l'état passant (Rds(on)): 44 mΩ (typ. à Vgs=10V, Id=20A)
  • Tension de seuil Gate-Source (Vgs(th)): 2 V à 4 V
  • Charge de Grille Totale (Qg): 72 nC (typ.)
  • Dissipation de puissance (Pd): 130 W
  • Boîtier: TO-220

Compatibilité Compatible avec la plupart des microcontrôleurs et cartes de développement (Arduino, Raspberry Pi, ESP32) via un circuit de pilotage de grille adapté.

Applications

  • Pilotage de moteurs DC ou pas-à-pas
  • Commutation de charges inductives et résistives
  • Convertisseurs DC-DC et régulateurs de tension
  • Applications de gestion de puissance en électronique de puissance

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Questions fréquentes

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