IRF540N MOSFET 100V - 33A

Description

**Description technique** Le MOSFET de puissance IRF540N est un transistor à effet de champ N-canal conçu pour la commutation rapide de charges électriques élevées. Il offre une faible résistance à l'état passant, optimisé pour les applications de gestion de puissance. **Caractéristiques techniques** * Type de transistor: MOSFET N-canal * Tension Drain-Source (Vds): 100 V * Courant Drain Continu (Id): 33 A (à 25°C) * Résistance Drain-Source à l'état passant (Rds(on)): 44 mΩ (typ. à Vgs=10V, Id=20A) * Tension de seuil Gate-Source (Vgs(th)): 2 V à 4 V * Charge de Grille Totale (Qg): 72 nC (typ.) * Dissipation de puissance (Pd): 130 W * Boîtier: TO-220 **Compatibilité** Compatible avec la plupart des microcontrôleurs et cartes de développement (Arduino, Raspberry Pi, ESP32) via un circuit de pilotage de grille adapté. **Applications** * Pilotage de moteurs DC ou pas-à-pas * Commutation de charges inductives et résistives * Convertisseurs DC-DC et régulateurs de tension * Applications de gestion de puissance en électronique de puissance **Livraison** Disponible chez TET Electronics avec livraison rapide partout en Tunisie.