IGW30N60T Transistor IGBT 600V 30A

Description

**Description technique** Le transistor IGBT IGW30N60T est un composant de puissance conçu pour la commutation rapide et efficace de courants élevés sous des tensions importantes. Il combine la simplicité de commande d'un MOSFET avec la capacité de courant et la faible tension de saturation d'un transistor bipolaire. **Caractéristiques techniques** * Tension collecteur-émetteur maximale (VCE): 600 V * Courant de collecteur continu maximal (IC): 30 A * Tension de saturation collecteur-émetteur (VCE(sat)): Typiquement 2.0 V (à IC=30A, VGE=15V) * Tension de seuil grille-émetteur (VGE(th)): 3.0 V à 5.0 V * Dissipation de puissance maximale (PD): 200 W * Plage de température de jonction (TJ): -40°C à +175°C * Boîtier: TO-247 **Compatibilité** Ce composant est adapté pour être piloté par des microcontrôleurs via des circuits d'interface de grille appropriés, permettant son intégration dans divers systèmes de contrôle numérique. **Applications** * Convertisseurs de puissance (onduleurs, convertisseurs DC/DC) * Alimentations à découpage et chargeurs de batteries * Contrôle moteur (variateurs de vitesse pour moteurs AC/DC) **Livraison** Disponible chez TET Electronics avec livraison rapide partout en Tunisie.